FDPF7N50U jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

TK4A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

TK5A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 24
Cena jednostkowa : 6,38000 zł
Arkusz danych

Similar

TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 2
Cena jednostkowa : 6,86000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 500 V 5A (Tc) 39W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDPF7N50U

Numer produktu DigiKey
FDPF7N50U-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FDPF7N50U
Opis
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 500 V 5A (Tc) 39W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FDPF7N50U Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
UniFET™
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,5Ohm przy 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
940 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
39W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F-3
Obudowa / skrzynia
TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu
FDPF7
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.