FDPF5N50NZF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Sanken Electric USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,19341 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 1 408
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 810
Cena jednostkowa : 10,34000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 28
Cena jednostkowa : 6,14000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 24
Cena jednostkowa : 6,89000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 46
Cena jednostkowa : 7,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 2
Cena jednostkowa : 7,43000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 19
Cena jednostkowa : 6,89000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 14
Cena jednostkowa : 7,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,83000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,83000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 97
Cena jednostkowa : 6,50000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 551 100
Cena jednostkowa : 2,54948 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 12 685
Cena jednostkowa : 2,54948 zł
Arkusz danych
Kanał N 500 V 4,2A (Tc) 30W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDPF5N50NZF

Numer produktu DigiKey
FDPF5N50NZF-ND
Producent
Numer produktu producenta
FDPF5N50NZF
Opis
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 500 V 4,2A (Tc) 30W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FDPF5N50NZF Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
12 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±25V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
485 pF @ 25 V
Status części
Nieaktualne
Straty mocy (maks.)
30W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,75Ohm przy 2,1A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (14)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
2SK3199Sanken Electric USA Inc.02SK3199-ND6,19341 złSimilar
RJK5030DPP-M0#T2Renesas Electronics Corporation1 408RJK5030DPP-M0#T2-ND11,74000 złSimilar
STP5NK50ZFPSTMicroelectronics810497-12613-5-ND10,34000 złSimilar
TK5A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage28TK5A45DA(STA4QM)-ND6,14000 złSimilar
TK5A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage24TK5A50D(STA4,Q,M)-ND6,89000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.