FDP18N20F onsemi | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

FDP18N20F jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 398

Cena jednostkowa : 8,40000 zł

Bezpośrednie

Infineon Technologies

W magazynie: 27 309

Cena jednostkowa : 10,66000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDP18N20F
Numer produktu DigiKey	FDP18N20F-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDP18N20F
Opis	MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26 nC @ 10 V
Seria UniFET™	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Rurka	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1180 pF @ 25 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 100W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-220-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 18A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-220-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FDP18
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 145mOhm przy 9A, 10V