Name: FDN5618P
Brand: onsemi
SKU: FDN5618PTR-ND
Price: 3.3579 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN5618P
Numer produktu DigiKey	FDN5618PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDN5618PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDN5618PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDN5618P
Opis	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	30 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 1,25A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDN5618P Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 13.8 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 430 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,25A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu FDN5618
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 170mOhm przy 1,25A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (2)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
PJA3461_R1_00001	Panjit International Inc.	2 093	3757-PJA3461_R1_00001CT-ND	0,36000 zł	Similar
SI2309CDS-T1-E3	Vishay Siliconix	17 378	SI2309CDS-T1-E3CT-ND	0,74000 zł	Similar