Name: FDN306P
Brand: onsemi
SKU: FDN306PTR-ND
Price: 3.3087 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN306P
Numer produktu DigiKey	FDN306PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDN306PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDN306PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDN306P
Opis	MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 12 V 2,6A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1138 pF @ 6 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 155°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,6A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Bazowy numer produktu FDN306
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 40mOhm przy 2,6A, 4,5V