Name: FDN302P
Brand: onsemi
SKU: FDN302PTR-ND
Price: 3.0504 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN302P
Numer produktu DigiKey	FDN302PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDN302PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDN302PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDN302P
Opis	MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	30 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 2,4A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDN302P Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 14 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 882 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 155°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,4A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu FDN302
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 55mOhm przy 2,4A, 4,5V