Name: FDMS86200
Brand: onsemi
SKU: FDMS86200TR-ND
Price: 15.5472 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS86200
Numer produktu DigiKey	FDMS86200TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS86200CT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS86200DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS86200
Opis	MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 9,6A (Ta), 35A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMS86200 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 46 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2715 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PQFN (5x6)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9,6A (Ta), 35A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu FDMS86
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18mOhm przy 9,6A, 10V