Name: FDMS86150ET100
Brand: onsemi
SKU: FDMS86150ET100TR-ND
Price: 39.3108 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS86150ET100
Numer produktu DigiKey	FDMS86150ET100TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS86150ET100CT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS86150ET100DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS86150ET100
Opis	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Standardowy czas realizacji przez producenta	47 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 16A (Ta), 128A (Tc) 3,3W (Ta), 187W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 62 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4065 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,3W (Ta), 187W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PQFN (5x6)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 16A (Ta), 128A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu FDMS86150
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,85mOhm przy 16A, 10V