Name: FDMS86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS86102LZTR-ND
Price: 13.7391 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS86102LZ
Numer produktu DigiKey	FDMS86102LZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS86102LZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS86102LZ
Opis	MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMS86102LZ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1305 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PQFN (5x6)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7A (Ta), 22A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu FDMS86102
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25mOhm przy 7A, 10V