Name: FDMS0310AS
Brand: onsemi
SKU: FDMS0310ASTR-ND
Price: 5.6703 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS0310AS
Numer produktu DigiKey	FDMS0310ASTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS0310ASCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS0310ASDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS0310AS
Opis	MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2,5W (Ta), 41W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®, SyncFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19A (Ta), 22A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,3mOhm przy 19A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2280 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	FDMS0310