Name: FDME820NZT
Brand: onsemi
SKU: FDME820NZTTR-ND
Price: 5.8917 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDME820NZT
Numer produktu DigiKey	FDME820NZTTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDME820NZTCT-ND - Taśma cięta (CT) FDME820NZTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDME820NZT
Opis	MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 9A (Ta) 2,1W (Ta) Montaż powierzchniowy MicroFet 1,6x1,6 cienki
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18mOhm przy 9A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	865 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	MicroFet 1,6x1,6 cienki
Obudowa / skrzynia	6-PowerUFDFN
Bazowy numer produktu	FDME820