Name: FDMC8622
Brand: onsemi
SKU: FDMC8622TR-ND
Price: 9.8154 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMC8622
Numer produktu DigiKey	FDMC8622TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMC8622CT-ND - Taśma cięta (CT) FDMC8622DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMC8622
Opis	MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 4A (Ta), 16A (Tc) 2,5W (Ta), 31W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-MLP (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMC8622 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta), 16A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	56mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	402 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-MLP (3,3x3,3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerWDFN
Bazowy numer produktu	FDMC86