FDME410NZT onsemi | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

FDME410NZT
Numer produktu DigiKey	FDME410NZTTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDME410NZT
Opis	MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 7A (Ta) 2,1W (Ta) Montaż powierzchniowy MicroFet 1,6x1,6 cienki
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	26mOhm przy 7A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1025 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	MicroFet 1,6x1,6 cienki
Obudowa / skrzynia	6-PowerUFDFN
Bazowy numer produktu	FDME41

FDME410NZT