Name: FDMA507PZ
Brand: onsemi
SKU: FDMA507PZTR-ND
Price: 4.5018 PLN
Availability: OutOfStock

FDMA507PZ nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 6 750

Cena jednostkowa : 2,67000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMA507PZ
Numer produktu DigiKey	FDMA507PZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMA507PZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMA507PZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMA507PZ
Opis	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 7,8A (Ta) 2,4W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-MicroFET (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMA507PZ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	24mOhm przy 7,8A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2015 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,4W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-MicroFET (2x2)
Obudowa / skrzynia	6-WDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	FDMA507