FDI8442 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDI8442
Numer produktu DigiKey	FDI8442-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDI8442
Opis	MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Otwór przelotowy TO-262 (I2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Ta), 80A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,9mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	254W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-262 (I2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-262-3 długie odpr., I2PAK, TO-262AA
Bazowy numer produktu	FDI8442

FDI8442