


FDI150N10 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | FDI150N10OS-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | FDI150N10 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-262 (I2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | FDI150N10 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 16mOhm przy 49A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4760 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 110W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-262 (I2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,35000 zł | 13,35 zł |
| 50 | 6,74540 zł | 337,27 zł |
| 100 | 6,10460 zł | 610,46 zł |
| 500 | 4,98168 zł | 2 490,84 zł |
| 1 000 | 4,62097 zł | 4 620,97 zł |
| 2 000 | 4,37319 zł | 8 746,38 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,35000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 16,42050 zł |



