Name: FDC655BN
Brand: onsemi
SKU: FDC655BNTR-ND
Price: 3.4932 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC655BN
Numer produktu DigiKey	FDC655BNTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC655BNCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC655BNDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC655BN
Opis	MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 6,3A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC655BN Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 570 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,6W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia SuperSOT™-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,3A (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu FDC655
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25mOhm przy 6,3A, 10V