Name: FDC655BN
Brand: onsemi
SKU: FDC655BNTR-ND
Price: 3.4932 PLN
Availability: InStock

FDC655BN
Numer produktu DigiKey	FDC655BNTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC655BNCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC655BNDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC655BN
Opis	MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 6,3A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC655BN Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25mOhm przy 6,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	570 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,6W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SuperSOT™-6
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	FDC655

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
3 000	0,61854 zł	1 855,62 zł
6 000	0,56650 zł	3 399,00 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	2,84000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,49320 zł

FDC655BN