Name: FDC642P
Brand: onsemi
SKU: FDC642PTR-ND
Price: 3.936 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC642P
Numer produktu DigiKey	FDC642PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC642PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC642PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC642P
Opis	MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 4A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC642P Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 925 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,6W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SuperSOT™-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4A (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu FDC642
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 65mOhm przy 4A, 4,5V