Name: FDC602P
Brand: onsemi
SKU: FDC602PTR-ND
Price: 4.7232 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC602P
Numer produktu DigiKey	FDC602PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC602PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC602PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC602P
Opis	MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 5,5A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC602P Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1456 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,6W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SuperSOT™-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,5A (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu FDC602
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 5,5A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (2)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
NTHS4101PT1G	onsemi	7 781	NTHS4101PT1GOSCT-ND	6,18000 zł	Similar
TSM260P02CX6 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	10 331	TSM260P02CX6RFGCT-ND	3,41000 zł	Similar