FDB8445 onsemi | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

FDB8445 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,92830 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 57

Cena jednostkowa : 8,87000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDB8445
Numer produktu DigiKey	FDB8445TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB8445
Opis	MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 70A (Tc) 92W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 62 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3805 pF @ 25 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 92W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 70A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FDB844
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9mOhm przy 70A, 10V