Name: FDB52N20TM
Brand: onsemi
SKU: FDB52N20TMTR-ND
Price: 15.0306 PLN
Availability: OutOfStock

FDB52N20TM
Numer produktu DigiKey	FDB52N20TMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDB52N20TMCT-ND - Taśma cięta (CT) FDB52N20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB52N20TM
Opis	MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	UniFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	52A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	49mOhm przy 26A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2900 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	357W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	FDB52N20

Cena jednostkowa bez VAT:	12,22000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	15,03060 zł

FDB52N20TM