FDB3502 onsemi | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDB3502
Numer produktu DigiKey	FDB3502TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDB3502CT-ND - Taśma cięta (CT) FDB3502DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB3502
Opis	MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 6A (Ta), 14A (Tc) 3,1W (Ta), 41W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 815 pF @ 40 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 3,1W (Ta), 41W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 75 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta), 14A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FDB350
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 47mOhm przy 6A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (4)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
FDB16AN08A0	onsemi	2 234	FDB16AN08A0CT-ND	13,90000 zł	MFR Recommended
IRFZ34NSTRLPBF	Infineon Technologies	1 576	IRFZ34NSTRLPBFCT-ND	7,50000 zł	Similar
PHB29N08T,118	Nexperia USA Inc.	2 076	1727-PHB29N08T,118CT-ND	6,89000 zł	Similar
PSMN005-75B,118	Nexperia USA Inc.	75	1727-PSMN005-75B,118CT-ND	14,76000 zł	Similar