Name: FDB15N50
Brand: onsemi
SKU: FDB15N50TR-ND
Price: 23.0994 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDB15N50
Numer produktu DigiKey	FDB15N50TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDB15N50CT-ND - Taśma cięta (CT) FDB15N50DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB15N50
Opis	MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 15A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDB15N50 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 41 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±30V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1850 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 300W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 500 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 380mOhm przy 7,5A, 10V	Bazowy numer produktu FDB15