FDB12N50FTM-WS jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

FDB20N50F
onsemi
W magazynie: 4 222
Cena jednostkowa : 3,66000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
TO-263

FDB12N50FTM-WS

Numer produktu DigiKey
FDB12N50FTM-WSTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FDB12N50FTM-WS
Opis
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FDB12N50FTM-WS Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
UniFET™
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
11,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
700mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1395 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
165W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu
FDB12N50
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.