Name: FDB024N08BL7
Brand: onsemi
SKU: FDB024N08BL7TR-ND
Price: 26.5434 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDB024N08BL7
Numer produktu DigiKey	FDB024N08BL7TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDB024N08BL7CT-ND - Taśma cięta (CT) FDB024N08BL7DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB024N08BL7
Opis	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 178 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 13530 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 246W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 120A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FDB024
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,4mOhm przy 100A, 10V