FCPF36N60NT onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FCPF36N60NT jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 945

Cena jednostkowa : 22,98000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 22,69000 zł

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 70

Cena jednostkowa : 30,30000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCPF36N60NT
Numer produktu DigiKey	FCPF36N60NT-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCPF36N60NT
Opis	MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 36A (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FCPF36N60NT Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SupreMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	36A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4785 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220F-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	FCPF36