FCPF190N65S3L1 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FCPF190N65S3L1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

W magazynie: 496

Cena jednostkowa : 18,19000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 626

Cena jednostkowa : 9,96000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 30 153

Cena jednostkowa : 8,27000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 6,02795 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 2 103

Cena jednostkowa : 13,18000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 863

Cena jednostkowa : 14,60000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCPF190N65S3L1
Numer produktu DigiKey	FCPF190N65S3L1-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCPF190N65S3L1
Opis	MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 14A (Tc) 33W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SuperFET® III
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	190mOhm przy 7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 1,4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1225 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	33W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220F-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	FCPF190