FCP9N60N-F102 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

FCP360N65S3R0
onsemi
W magazynie: 293
Cena jednostkowa : 12,66000 zł
Arkusz danych

Similar

AOTF11S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 149
Cena jednostkowa : 12,77000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFP12N65X2M
IXYS
W magazynie: 273
Cena jednostkowa : 18,86000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 9A (Tc) 1,3A (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCP9N60N-F102

Numer produktu DigiKey
FCP9N60N-F102-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FCP9N60N-F102
Opis
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 9A (Tc) 1,3A (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FCP9N60N-F102 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
385mOhm przy 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1240 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
1,3A (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F
Obudowa / skrzynia
TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu
FCP9N60
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.