FCP36N60N onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FCP36N60N jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 786

Cena jednostkowa : 22,51000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 1 670

Cena jednostkowa : 21,19000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCP36N60N
Numer produktu DigiKey	FCP36N60N-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCP36N60N
Opis	MOSFET N-CH 600V 36A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 36A (Tc) 312W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SupreMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	36A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4785 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	312W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	FCP36N60