Name: FCMT125N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCMT125N65S3OSTR-ND
Price: 30.7869 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCMT125N65S3
Numer produktu DigiKey	FCMT125N65S3OSTR-ND - Taśma i szpula (TR) FCMT125N65S3OSCT-ND - Taśma cięta (CT) FCMT125N65S3OSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCMT125N65S3
Opis	MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FCMT125N65S3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SuperFET® III
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	24A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	125mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 590µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1920 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	181W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (8x8)
Obudowa / skrzynia	4-PowerTSFN
Bazowy numer produktu	FCMT125