FCA22N60N onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FCA22N60N jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 263

Cena jednostkowa : 26,24000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 40,26000 zł

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCA22N60N
Numer produktu DigiKey	FCA22N60NOS-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCA22N60N
Opis	MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Otwór przelotowy TO-3PN
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SupreMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	165mOhm przy 11A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1950 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	205W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-3PN
Obudowa / skrzynia	TO-3P-3, SC-65-3
Bazowy numer produktu	FCA22N60