CPH3350-TL-W onsemi | Półprzewodniki dyskretne

CPH3350-TL-W jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 20 319

Cena jednostkowa : 0,71000 zł

Similar

Taiwan Semiconductor Corporation

W magazynie: 117 216

Cena jednostkowa : 0,51000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CPH3350-TL-W
Numer produktu DigiKey	CPH3350-TL-WOSTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	CPH3350-TL-W
Opis	MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy 3-CPH
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CPH3350-TL-W Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	83mOhm przy 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	375 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	3-CPH
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	CPH3350