Kanał N 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Otwór przelotowy TO-92 (TO-226)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BS107G

Numer produktu DigiKey
BS107GOS-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
BS107G
Opis
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Otwór przelotowy TO-92 (TO-226)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
BS107G Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
250mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
2,6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
14Ohm przy 200mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3V przy 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
60 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
350mW (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-92 (TO-226)
Obudowa / skrzynia
TO-226-3, TO-92-3, długi korpus
Bazowy numer produktu
BS107
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.
Bez możliwości anulowania i zwrotu