Kanał N 50 V 35A (Ta) 40W (Tc) Montaż powierzchniowy ATPAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ATP216-TL-H

Numer produktu DigiKey
ATP216-TL-H-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
ATP216-TL-H
Opis
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 50 V 35A (Ta) 40W (Tc) Montaż powierzchniowy ATPAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
ATP216-TL-H Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
50 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
35A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
23mOhm przy 18A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2700 pF @ 20 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
ATPAK
Obudowa / skrzynia
ATPAK (2 odprowadzenia + wypust)
Bazowy numer produktu
ATP216
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.