PHB225NQ04T,118 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Udoskonalony


Infineon Technologies
W magazynie: 6 388
Cena jednostkowa : 16,48000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 95
Cena jednostkowa : 11,35000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 567
Cena jednostkowa : 8,51000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 712
Cena jednostkowa : 10,52000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 984
Cena jednostkowa : 7,10980 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 4 978
Cena jednostkowa : 10,84000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 843
Cena jednostkowa : 9,59000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 4 237
Cena jednostkowa : 9,95000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5 107
Cena jednostkowa : 10,09000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,65780 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,93693 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 2 980
Cena jednostkowa : 12,57000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 3 074
Cena jednostkowa : 13,32000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 800
Cena jednostkowa : 13,90000 zł
Arkusz danych
Kanał N 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PHB225NQ04T,118

Numer produktu DigiKey
PHB225NQ04T,118-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Numer produktu producenta
PHB225NQ04T,118
Opis
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 1mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
94 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±20V
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5100 pF @ 25 V
Status części
Nieaktualne
Straty mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Obudowa dostawcy urządzenia
D2PAK
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
3,1mOhm przy 25A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (15)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
IPB80N04S204ATMA2Infineon Technologies6 388448-IPB80N04S204ATMA2CT-ND16,48000 złUdoskonalony
BUK964R1-40E,118Nexperia USA Inc.951727-7260-1-ND11,35000 złSimilar
DMTH4004SCTB-13Diodes Incorporated567DMTH4004SCTB-13DICT-ND8,51000 złSimilar
DMTH4004SCTBQ-13Diodes Incorporated712DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND10,52000 złSimilar
IPB100N04S204ATMA4Infineon Technologies1 984IPB100N04S204ATMA4TR-ND7,10980 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.