PSMN3R9-60PSQ Nexperia USA Inc. | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN3R9-60PSQ
Numer produktu DigiKey	1727-1133-ND
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN3R9-60PSQ
Opis	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 130A (Tc) 263W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	PSMN3R9-60PSQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	130A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,9mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5600 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	263W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AB
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	PSMN3R9

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 835

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	14,90000 zł	14,90 zł
10	9,78000 zł	97,80 zł
100	6,88230 zł	688,23 zł
500	5,64460 zł	2 822,30 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.