Name: PSMN3R8-100BS,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-7109-2-ND
Price: 22.2999 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN3R8-100BS,118
Numer produktu DigiKey	1727-7109-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-7109-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-7109-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN3R8-100BS,118
Opis	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 120A (Tc) 306W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 1mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 170 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9900 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 306W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 120A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia D2PAK
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,9mOhm przy 25A, 10V	Bazowy numer produktu PSMN3R8