Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 31.7955 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN2R3-100SSEJ
Numer produktu DigiKey	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN2R3-100SSEJ
Opis	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK88 (SOT1235)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	PSMN2R3-100SSEJ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 1mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 160 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 17200 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 341W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 255A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia LFPAK88 (SOT1235)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia SOT-1235
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,2mOhm przy 25A, 10V	Bazowy numer produktu PSMN2R3