Name: PSMN1R8-40YLC,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1052-2-ND
Price: 11.7096 PLN
Availability: OutOfStock

PSMN1R8-40YLC,115 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 10,10000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN1R8-40YLC,115
Numer produktu DigiKey	1727-1052-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-1052-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-1052-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN1R8-40YLC,115
Opis	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Tc) 272W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK56, Power-SO8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	PSMN1R8-40YLC,115 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,8mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,95V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6680 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	272W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK56, Power-SO8
Obudowa / skrzynia	SC-100, SOT-669
Bazowy numer produktu	PSMN1R8