Name: PSMN1R7-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND
Price: 12.6321 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN1R7-40YLDX
Numer produktu DigiKey	1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-PSMN1R7-40YLDXCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-PSMN1R7-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN1R7-40YLDX
Opis	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 200A (Tc) 194W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK56, Power-SO8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,05V przy 1mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 109 nC @ 10 V
Seria TrenchMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7966 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Charakterystyka FET Dioda Schottky'ego (korpus)
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 194W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 200A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia LFPAK56, Power-SO8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia SC-100, SOT-669
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,8mOhm przy 25A, 10V	Bazowy numer produktu PSMN1R7