Name: PSMN102-200Y,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-5227-2-ND
Price: 8.1426 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN102-200Y,115
Numer produktu DigiKey	1727-5227-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-5227-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-5227-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN102-200Y,115
Opis	MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 21,5A (Tc) 113W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK56, Power-SO8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	TrenchMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	102mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1568 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	113W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK56, Power-SO8
Obudowa / skrzynia	SC-100, SOT-669
Bazowy numer produktu	PSMN102