Name: PMV88ENEAR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-8668-2-ND
Price: 2.5215 PLN
Availability: OutOfStock

PMV88ENEAR nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 105

Cena jednostkowa : 2,05000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 17 104

Cena jednostkowa : 2,16000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PMV88ENEAR
Numer produktu DigiKey	1727-8668-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-8668-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-8668-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PMV88ENEAR
Opis	MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 2,2A (Ta) 615mW (Ta), 7,5W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-236AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	PMV88ENEAR Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	117mOhm przy 2,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,7V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	196 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	615mW (Ta), 7,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-236AB
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	PMV88