Name: NX7002BKR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-2663-2-ND
Price: 0.8118 PLN
Availability: OutOfStock

NX7002BKR nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

onsemi

W magazynie: 49 832

Cena jednostkowa : 0,77000 zł

Similar

Panjit International Inc.

W magazynie: 38 428

Cena jednostkowa : 0,44000 zł

Similar

Rohm Semiconductor

W magazynie: 7 181

Cena jednostkowa : 1,32000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NX7002BKR
Numer produktu DigiKey	1727-2663-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-2663-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-2663-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	NX7002BKR
Opis	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 270mA (Ta) 310mW (Ta), 1,67W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-236AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NX7002BKR Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	270mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,8Ohm przy 200mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	23.6 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	310mW (Ta), 1,67W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-236AB
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	NX7002