Name: GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND
Price: 42.4842 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GANE3R9-150QBAZ
Numer produktu DigiKey	1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-GANE3R9-150QBAZCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-GANE3R9-150QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	GANE3R9-150QBAZ
Opis	GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 100A (Ta) 65W (Ta) Montaż powierzchniowy 25-VQFN (4x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,1V przy 12mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +6V, -4V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2200 pF @ 75 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 65W (Ta)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 25-VQFN (4x6)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V	Obudowa / skrzynia 25-PowerVFQFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,9mOhm przy 30A, 5V