Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 36.531 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GAN080-650EBEZ
Numer produktu DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	GAN080-650EBEZ
Opis	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Standardowy czas realizacji przez producenta	4 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 29A (Tc) 240W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany DFN8080-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 30,7mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 6.2 nC @ 6 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +7V, -6V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 225 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 240W (Tc)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 29A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia DFN8080-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V	Obudowa / skrzynia 8-VDFN podkładka odsłonięta
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 80mOhm przy 8A, 6V	Bazowy numer produktu GAN080