BUK964R2-55B,118 Nexperia USA Inc. | Półprzewodniki dyskretne

BUK964R2-55B,118 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 3 055

Cena jednostkowa : 19,73000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 10,11183 zł

Similar

Renesas Electronics Corporation

W magazynie: 1 709

Cena jednostkowa : 12,00000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BUK964R2-55B,118
Numer produktu DigiKey	1727-BUK964R2-55B,118TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	BUK964R2-55B,118
Opis	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 75A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BUK964R2-55B,118 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	TrenchMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	75A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,7mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	95 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10220 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	BUK964