Name: NV6029
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6029TR-ND
Price: 59.3598 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NV6029
Numer produktu DigiKey	1913-NV6029TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1913-NV6029CT-ND - Taśma cięta (CT) 1913-NV6029DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	NV6029
Opis	GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 30A (Tc) 135W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PDFN (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 70mOhm przy 12A, 6V
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,8V przy 24mA
Seria GaNFast™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8 nC @ 6 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +7V, -10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 227 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 135W (Tc)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-PDFN (8x8)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V	Obudowa / skrzynia 8-VDFN podkładka odsłonięta