GAP3SLT33-220FP Navitas Semiconductor, Inc. | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GAP3SLT33-220FP
Numer produktu DigiKey	1913-GAP3SLT33-220FP-ND
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	GAP3SLT33-220FP
Opis	DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 3300 V 300mA Otwór przelotowy TO-220FP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Navitas Semiconductor, Inc.
Seria	SiC Schottky MPS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	3300 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	300mA
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.7 V @ 300 mA
Prędkość	-
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	5 µA @ 3300 V
Pojemność przy Vr, F	42pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2, pełny pakiet
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220FP
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu	GAP3SLT33