Name: G3R160MT17J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R160MT17J-TR-ND
Price: 78.2895 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G3R160MT17J-TR
Numer produktu DigiKey	1913-G3R160MT17J-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1913-G3R160MT17J-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1913-G3R160MT17J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G3R160MT17J-TR
Opis	1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 18A (Tc) 145W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Navitas Semiconductor, Inc.
Seria	G3R™, LoRing™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	224mOhm przy 10A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,7V przy 5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	29 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+15V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	854 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	145W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA