Name: G3R160MT17J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R160MT17J-TR-ND
Price: 82.1886 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G3R160MT17J-TR
Numer produktu DigiKey	1913-G3R160MT17J-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1913-G3R160MT17J-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1913-G3R160MT17J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G3R160MT17J-TR
Opis	1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 18A (Tc) 145W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 224mOhm przy 10A, 15V
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,7V przy 5mA
Seria G3R™, LoRing™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 29 nC @ 15 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +15V, -5V
Status części Ostatnio kupiono	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 854 pF @ 1000 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 145W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1700 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 18A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA